6インチ導電型基板

6インチ導電型基板

技術成果

ゼロマイクロチューブ密度制御技術

低転位密度制御技術

低積層欠陥密度制御技術

抵抗率均一制御技術

極薄基板加工・表面形状制御技術

製品概要

導電型炭化ケイ素基板は、導電型炭化ケイ素の結晶を切断、研削、研磨、洗浄等の工程を経て加工した単結晶シートです。単結晶基板ウェハーは、第3世代半導体の重要な原材料であり、ホモエピタキシャル成長、ウェハー製造、パッケージングテストなどのプロセスを経て炭化ケイ素ベースのパワーデバイスを製造することができ、第3世代半導体産業の発展にとって重要な基礎材料となっています。6インチ導電型基板は現在業界主流のサイズの製品です。当社の6インチ導電型基板の品質は国際基準に達しており、非常に高いコスパを有しています。川下の顧客による総合的な検証の結果、製品の性能は安定し、信頼性が高く、自動車や産業用途で目覚ましい成果を上げています。

川下の製品と応用

炭化ケイ素基板材料は、ホモエピタキシャル成長、ウェハー製造、パッケージングテストおよびその他のプロセスを経て、炭化ケイ素ダイオード、炭化ケイ素MOSFETおよびその他のパワーデバイスを製造します。高温、高電圧、大電流およびその他の動作環境に適しており、新エネルギー自動車、充電パイル、太陽光発電・風力発電、エネルギー貯蔵、軌道交通、スマートグリッド、産業用電源、産業用駆動装置、白物家電などの分野で広く応用されています。

製品仕様書
Diameter 149.5 mm - 150.0 mm
Poly-type 4H
Thickness 350 μm ± 15 μm
Wafer Orientation Off axis : 4.0° toward < 11-20 > ±0.5°
Micropipe Density ≤ 0.2 cm-2
Resistivity 0.015-0.024 Ω·cm
Primary Flat Orientation {10-10} ± 5.0°
Primary Flat Length 47.5 mm ± 2.0 mm
Edge Exclusion 3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp ≤ 2.5 μm/ ≤6 μm/ ≤ 25 μm/ ≤ 35 μm
Roughness Polish Ra ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0.2 nm
Edge Cracks By High Intensity Light -
Hex Plates By High Intensity Light Cumulative area ≤ 0.05%
Polytype Areas By High Intensity Light -
Visual Carbon Inclusions Cumulative area ≤ 0.05%
Silicon Surface Scratches By High Intensity Light -
Edge Chips High By Intensity Light None permitted ≥ 0.2 mm width and depth
Threading Screw Dislocation ≤ 500 cm-2
Silicon Surface Contamination By High Intensity Light -
Packaging Multi-wafer Cassette Or Single Wafer Container
Diameter 149.5 mm - 150.0 mm
Poly-type 4H
Thickness 350 μm ± 15 μm
Wafer Orientation Off axis : 4.0° toward < 11-20 > ±0.5°
Micropipe Density ≤ 15 cm-2
Resistivity 0.015-0.028 Ω·cm
Primary Flat Orientation {10-10} ± 5.0°
Primary Flat Length 47.5 mm ± 2.0 mm
Edge Exclusion 3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp ≤ 5 μm/ ≤ 15 μm/ ≤ 40 μm/ ≤ 60 μm
Roughness Polish Ra ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0.5 nm
Edge Cracks By High Intensity Light

Cumulative length ≤ 20 mm

Single length ≤ 2 mm

Hex Plates By High Intensity Light Cumulative area ≤ 0.1%
Polytype Areas By High Intensity Light Cumulative area ≤ 3%
Visual Carbon Inclusions Cumulative area ≤ 3%
Silicon Surface Scratches By High Intensity Light Cumulative length ≤1 × wafer diameter
Edge Chips High By Intensity Light 7 allowed, ≤ 1 mm each
Threading Screw Dislocation -
Silicon Surface Contamination By High Intensity Light -
Packaging Multi-wafer Cassette Or Single Wafer Container
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